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自考资料-《电子技术基础》-考前总复习试卷(代码02273)第一章

发布者:5184考试中心时间:2015/10/22 18:48:18浏览量:

 第1章  常用的半导体器件

一、学习目的与要求
通过本章的学习,应理解常用半导体器件的基本结构的;并掌握常用半导体器件的的伏安特性和主要参数。
二、考试内容
1.1  半导体的基础知识
1.1.1  本征半导体
1.1.2  杂质半导体
1.1.3  PN结的形成及其单向导电性
1.2  半导体二极管 
1.2.1  半导体二极管的基本结构
1.2.2  半导体二极管的伏安特性
1.2.3  二极管的主要参数
1.2.4  二极管的应用举例
1.2.5  特殊的半导体二极管
1.3  晶体三极管
1.3.1  晶体管的结构
1.3.2  晶体管的电流分配和放大原理
1.3.3  晶体管的伏安特性曲线
1.3.4  晶体管的主要参数                                                                                                                                                                                                           
1.3.5  晶体管的小信号模型
1.4  场效应晶体管
1.4.1  绝缘栅型场效应管的基本结构和工作原理
1.4.2  绝缘栅场效应管(MOSFET)的主要参数
1.4.3  绝缘栅场效应管(MOSFET)简化的小信号模型
1.4.4  绝缘栅场效应管(MOSFET)与普通晶体管的比较及使用注意事项
*1.5  晶闸管
1.5.1  晶闸管的基本结构
1.5.2  晶闸管的工作原理
1.5.3  晶闸管的伏安特性
1.5.4  晶闸管的主要参数
1.5.5  晶闸管的测试与使用
三、考核知识点
1、半导体的基础知识;本征半导体;杂质半导体;PN结的形成及其单向导电性;
2、半导体二极管的伏安特性;二极管电路的应用及计算;
3、晶体管的电流分配和放大原理;晶体管的伏安特性曲线;晶体管的小信号模型;
4、场效应晶体管的基本结构和工作原理;场效应晶体管的小信号模型;
四、考核要求
识记:半导体的基础知识;本征半导体;杂质半导体;PN结的形成及其单向导电性;特殊的半导体二极管;
领会:半导体二极管的伏安特性;晶体管的电流分配和放大原理;晶体管的伏安特性曲线;
简单应用:;二极管电路的应用及计算;
综合应用:晶体管的小信号模型;场效应晶体管的小信号模型。


 

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